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采用Flash存储器实现TMS320VC5410 DSP对多用户代码加载的方法研究

mg娱乐娱城网址 ? 2020-05-21 08:30 ? 次阅读

引 言

在TMS320C54X系列DSP系统的开发中,由于DSP片内只有ROMRAM存储器,如要将用户代码写入ROM中,必须要由DSP芯片厂家来完成;但这样做用户就不能再更改代码,很不实用。由于RAM在DSP掉电后不能再保存数据,因此,常常利用EPROM、Flash等一些外部存储器来存放用户代码。在DSP上电工作后,利用DSP提供的boot机制,再将程序下载到DSP RAM中运行。如果使用EPROM外部存储器存放用户代码,需要用代码转换工具将用户代码转换为二进制目标文件,然后用编程器将其烧写进EPROM;而如果使用Flash存储器存放用户代码,则可直接使用DSP仿真器和CCS(Code Composer Studio )仿真环境进行在线编程,使用灵活方便,不再需要其它编程设备。在某一以太网通信系统中,我们就采用Flash存储器来实现多份用户代码的有选择加载。下面就以此系统为例介绍对TMS320VC54X DSP的一种用户代码加载的方法。

1、系统构架

此通信系统基于802.3以太网标准,用以实现各终端之间的话音和其它数据的通信,以及实现局域网内终端与外界的话音和数据通信。为节约开发成本,提高系统的可扩展性、通用性和灵活性,我们对每个网内终端采用同样的硬件架构,通过使用不同的软件代码而使其实现不同的功能,发挥不同的作用。

每一通信终端由2块DSP芯片、1块网卡、1块CPLD和1块FPGA以及Flash存储器等器件组成可扩展的基本结构。其中,以TMS320VC5410 DSP作为主CPU,负责系统的逻辑控制和一般数据传输;以MS320VC5416 DSP作为从CPU,负责话音的编解码和回声消除、语音检测等工作。2块DSP之间通过主机接口(HPI)进行通信。为了实现代码的有选择下载,可由FPGA配置一端口作为拨码开关,使用户通过调节拨码开关,可以有选择地下载存储于Flash中的用户代码,其结构如图1所示。

采用Flash存储器实现TMS320VC5410 DSP对多用户代码加载的方法研究

配置拨码开关是为了扩充系统的功能,以实现一个硬件平台的多种用途。我们可以将实现不同功能的多份用户代码都写入Flash存储器中存放,通过硬件拨码开关的设置,选择其中一份用户代码下载执行。在系统上电加载用户代码时,系统先从Flash下载FPGA配置程序,然后通过FPGA读出拨码开关的值,再根据此值从Flash中选择对应的5410 DSP用户代码加载;而5416 DSP的用户代码加载是在5410代码加载完成,启动运行后由5410程序从Flash中读出相应的5416代码,再通过HPI加载到5416的,以此实现5416 DSP的代码加载与启动。

2、M29W800AB Flash存储器介绍及使用

在此系统中,我们选用的是M29W800AB Flash存储器,其容量为512K16位, 分为16页,每页32K。其中,第0页有4个模块:0x00~0x1fff、0x2000~0x2fff、0x3000~0x3fff、0x4000~0x7fff。其余各页,每页为1个模块,共有19个模块。

对Flash的操作要靠写入一系列特定的地址和数据序列来完成。在每次对Flash写入之前,要对其原来的内容进行擦除。Flash的擦除包括块擦除和芯片擦除两种。块擦除是对一个模块进行擦除,芯片擦除是擦除整个Flash的内容。因此,对Flash的操作,是以模块为基本单元的。对Flash的操作由指令决定,其必须满足Flash的时序要求,每条指令需要1~6个不等的指令周期。主要操作指令包括读数据指令、编程指令、复位指令、自动选择指令和擦除指令。每个指令周期由一个命令构成,每个命令代码所执行的任务如表1所列。

表1 Flash的命令说明

下面以M29W800AB Flash的块擦除指令为例,具体说明Flash的操作时序:块擦除指令需要6个总线周期,先以2个解周期开始,然后是1个擦除建立周期,接下来又是2个解锁周期,最后是1个擦除确认周期,其指令时序如表2所列。

表2 Flash擦除指令说明

其C语言程序设计代码如下:

#define flash ((volatile unsigned int*)0x8000)

Block_Erase(ADDR){

flash[0x5555] = 0x00AA;

wait(1000);

flash[0x2AAA] = 0x0055;

wait(1000);

flash[0x5555] = 0x0080;

wait(1000);

flash[0x5555] = 0x00AA;

wait(1000);

flash[0x2AAA] = 0x0055;

wait(1000);

flash[ADDR] = 0x0030;

}

需要注意的是,Flash相对于DSP来说是慢速设备,编程时,对Flash的访问需要有足够的延时等待。对其它指令这里就不一一介绍了。要了解更多内容,可参考具体的Flash存储器手册。

3 、引导装载

DSP上电复位后,先检测其MP/MC引脚,如果MP/MC=“0”,表示使用片内ROM引导。此时,DSP从0xFF80处开始执行TI的片内引导程序。进入引导程序后,HINT引脚变为低电平,然后开始检测INT2是否为低电平(有效)。如有效,则进入HPI引导方式;否则,检测INT3引脚。如有INT3请求中断,则进入串行引导方式;否则,就进入并行引导方式。在本系统中,我们采用TI公司提供的Bootlooder程序进行引导装载,为此,应将MP/MC引脚接低电平。引导程序流程如图2所示。

3.1 HPI模式实现TMS320VC5416的程序加载

按以上设计,5416DSP的程序加载采用HPI(主机接口)模式。对于HPI引导模式,必须将HINT和INT2引脚连接在一起,以保证Bootloader程序能检测到INT2有效。当检测其为低电平时,进入HPI引导方式。主处理器5410启动运行后,5410程序从Flash中下载5416程序,通过5410与5416之间的HPI写入5416 RAM。在将程序写入5416时,要按照5416程序的cmd文件配置,将从Flash中读出的代码写入5416程序空间的代码段。写完代码后,还应将5416代码的起始地址写入5416的0x7f单元,将0写入0x7e单元,起始地址可在CCS仿真环境中编译5416代码后看出,此时PC所指向的位置就是代码的起始地址。这是因为,当5416进入HPI引导方式后,Boodloader程序开始检测0x7f单元的内容(0x7e和0x7f两单元内容在Boodloader程序开始执行时就清零)。当检测到其内容不为零时,即将0x7e的内容赋给XPC,将0x7f的内容赋给PC,程序跳转到PC所指向位置执行用户代码。这样就实现了从片5416的程序加载启动。图3是HPI模式加载用户代码的流程。

3.2 并行加载模式实现TMS320VC5410的程序加载

5410主处理器的用户代码加载采用并行模式加载。在本系统中,有多份5410用户代码存储于Flash中。系统上电后,先要从Flash中下载FPGA配置代码,然后读出拨码开关的值,再选择相应的用户代码下载,完成后,跳转到用户代码的入口地址开始执行用户代码。为此,需要设计一启动程序以实现以上功能。启动程序的内容包括下载FPGA配置代码,读拔码开关值,并根据此值选择下载相应的5410用户代码到其cmd文件配置的相应程序空间。完成后,跳转到用户代码起始地址。代码的起始地址通过CCS仿真环境编译后获得,启动程序的下载运行,则要依靠TI的片内引导程序,采用16位并行模式引导加载,需要构建引导表。所谓引导表就是引导程序要调入的代码。引导表中除了包括源代码之外,还包含一些附加信息。这些信息指导引导程序的具体执行过程。因此,可以说引导表是由程序代码和一些附加信息组成的一种数据结构。在这里,我们需要用启动程序构建引导表,并将引导表也写入Flash中。

在此系统中,Flash存储器映射为DSP的0x8000~0xffff数据空间。对Flash操作时,首先要选择页,每一页都对应为DSP的0x8000~0xffff地址的数据空间。需要注意:除了将引导表写入Flash外,还应将引导表的起始地址(对于DSP处理器而言的地址,如果在Flash中为0,则对DSP即为0x8000)写入Flash第一页的最后一个单元(0x7fff单元),即DSP存储空间的0xFFFFh单元。引导程序进入并行加载模式后,将查询数据空间的0xFFFFh单元,直到读入一个有效的地址数据。此数据为用户引导表的入口地址。这时,引导程序就跳转到Flash中的用户引导表开始执行。需要注意的是,对于不同型号和厂家的Flash,其引导表的格式和内容是不同的。下面就M29W800AB Flash引导表的格式及我们所配置的内容说明如下:

程序根据引导表的内容将用户代码下载到指定的程序空间中,并将指定的程序入口地址值赋给PC,使程序从此处开始执行,从而完成5410 DSP的引导启动。并行引导流程如图4所示。

在系统的实际调试过程中,通过HPI加载5416代码时,要注意5410和5416的时钟要匹配。一般来说,要求从片时钟为主片时钟的1.25倍以上。在此系统中,系统基准时钟为8MHz,5410启动时钟设为8MHz,5416设为10倍频80MHz。

本系统最大的优点是实现了一机多用,扩展了系统的功能,增强了系统的灵活性和通用性,在实际应用中已取得了良好的效果。

责任编辑:gt


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专用MCU渐成热点,芯海科技持续发力信号链MCU

随着嵌入式智能化应用的深入,基于场景化应用的MCU需求增加,越来越多的MCU厂商倾向于提供专用解决方....
的头像 MCU开发加油站 发表于 05-13 17:33 ? 532次 阅读
专用MCU渐成热点,芯海科技持续发力信号链MCU

ROMRAMFlash的一些零碎知识点

一种是真的写了就没法改的ROM;一种是可以写一次的ROM(one-time Programmable....
的头像 MCU开发加油站 发表于 05-13 17:31 ? 578次 阅读
ROMRAMFlash的一些零碎知识点

车厘子高新技术企业申请顺利通过啦!

成绩只属于过去,成就还看未来。车厘子始终致力于高端数字应用产品的研究和推广,为车载音频爱好者和发烧友....
的头像 车厘子DSP 发表于 05-13 14:52 ? 361次 阅读
车厘子高新技术企业申请顺利通过啦!

DSP的EQ调试到底是起到什么作用

很多人都不知道DSP的EQ调试到底是起到什么作用?今天我们借助专业音响设备的均衡器的概念来为大家解释....
发表于 05-12 15:59 ? 254次 阅读
DSP的EQ调试到底是起到什么作用

汽车dsp接线需要注意些什么

就是要防止在实际操作中,搞混了线序,或者安装太随意、用接头不做屏蔽处理,对接只扭一起不做焊接等等,这....
发表于 05-12 15:55 ? 205次 阅读
汽车dsp接线需要注意些什么

93XX系列串行EEPROM的数据手册免费下载

Microchip Technology Inc. 生产的低电压串行电擦写式可编程只读存储器(Ele....
发表于 05-11 17:05 ? 67次 阅读
93XX系列串行EEPROM的数据手册免费下载

DSP的定义_DSP在音频信号上的各种应用

在音响行业中,DSP是设备中的重要组成部分中的一员,更是数字音频的重要标志。我们知道,DSP本质上并....
发表于 05-11 14:22 ? 296次 阅读
DSP的定义_DSP在音频信号上的各种应用

dsp芯片是什么_dsp芯片和通用微处理器有什么区别

对于dsp芯片很多人都会比较陌生,它主要运用在信号处理、图像处理、声音语言等多个场所。那么dsp芯片....
发表于 05-11 12:11 ? 207次 阅读
dsp芯片是什么_dsp芯片和通用微处理器有什么区别

BELASIGNA R281 始终聆听,语音触发音频DSP系统

信息 BelaSigna?R281是一款超低功耗语音触发解决方案,适用于各种消费电子设备。在典型的应用中,BelaSigna R281“始终在聆听”。并且将检测单个用户训练的触发短语,当检测到该触发短语时断言唤醒信号。 “始终开启”。平均功耗小于300 uW的关键短语检测(不包括麦克风的功耗)可保持待机电池寿命。 BelaSigna R281是一款超小型解决方案,可同时提供采用5 mm x 5mm QFN32封装和2.42 mm x 2.74 mm WLCSP封装。它可以设计在单层PCB上,具有4 mil布线和最少量的外部元件。 需要一个外部的I C主控制器来配置器件进行操作。 超低功耗 卓越绩效 混合信号 Easy Design-In 优势特点 主要功能 久经考验的超低功耗数字信号处理(DSP)技术 ?最初为助听器开发的音频DSP技术在以下方面具备所需的计算能力极低电流消耗 ?...
发表于 04-18 19:42 ? 91次 阅读
BELASIGNA R281 始终聆听,语音触发音频DSP系统

AD5175 单通道、1024位数字变阻器,配有I2C接口和50-TP存储器

信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) I2C兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5175是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5175的游标设置可通过I2C兼容型数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5175不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5175提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为?40°C至+125°C扩展...
发表于 04-18 19:35 ? 28次 阅读
AD5175 单通道、1024位数字变阻器,配有I2C接口和50-TP存储器

AD5174 单通道、1024位数字变阻器,配有SPI接口和50-TP存储器

信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) SPI兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5174是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。 该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5174的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5174不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5174提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为?40°C至+125°C扩展工业...
发表于 04-18 19:35 ? 26次 阅读
AD5174 单通道、1024位数字变阻器,配有SPI接口和50-TP存储器

AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 标称电阻容差误差(电阻性能模式):±1%(最大值) 20次可编程游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 分压器温度系数:5 ppm/°C +9V至+33V单电源供电 ±9V至±16.5V双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 下载AD5292-EP (Rev 0)数据手册(pdf) 温度范围:?55°C至+125°C 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/12616 DSCC图纸号产品详情AD5292是一款单通道1024位数字电位计1,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件能够在宽电压范围内工作,支持±10.5 V至±16.5 V的双电源供电和+21 V至+33 V的单电源供电,同时确保端到端电阻容差误差小于1%,并具有20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291和AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机...
发表于 04-18 19:31 ? 42次 阅读
AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校准的标称电阻容差:±1%(电阻性能模式) 20次可编程 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 温度系数(分压器模式):5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 单电源供电 ±9 V至±16.5 V 双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 产品详情AD5291/AD5292属于ADI公司的digiPOT+? 电位计系列,分别是单通道256/1024位数字电位计1 ,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件的工作电压范围很宽,既可以采用±10.5 V至±16.5 V双电源供电,也可以采用+21 V至+33 V单电源供电,同时端到端电阻容差误差小于1%,并提供20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291/AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机会。在20-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将游标位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5291/AD52...
发表于 04-18 19:31 ? 24次 阅读
AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

信息优势和特点 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1 存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复至EEMEM设置,刷新时间典型值为300 μs EEMEM重写时间:540 μs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多信息,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C?, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...
发表于 04-18 19:29 ? 54次 阅读
AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

信息优势和特点 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复为EEMEM设置,刷新时间典型值为300 μs EEMEM重写时间:540 μs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读/写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C?, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...
发表于 04-18 19:29 ? 54次 阅读
AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

AD5252 I2C, 非易失性存储器、双通道、256位数字电位计

信息优势和特点 非易失性存储器可保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k ?, 10 k ?, 50 k ? 100 k ? I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保留期限:100年(典型值, TA = 55°C )产品详情AD5252是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有256位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄...
发表于 04-18 19:29 ? 127次 阅读
AD5252 I2C, 非易失性存储器、双通道、256位数字电位计

AD5251 I2C, 非易失性存储器、双通道、64位数字电位计

信息优势和特点 非易失性存储器保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k ?, 10 k ?, 50 k ? 100 k ? I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保持能力:100年(典型值,TA = 55°C )产品详情AD5251是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有64位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄存器...
发表于 04-18 19:29 ? 118次 阅读
AD5251 I2C, 非易失性存储器、双通道、64位数字电位计

AD5235 非易失性存储器、双通道1024位数字电位计

信息优势和特点 双通道、1024位分辨率 标称电阻:25 kΩ、250 kΩ 标称电阻容差误差:±8%(最大值) 低温度系数:35 ppm/°C 2.7 V至5 V单电源或±2.5 V双电源 SPI兼容型串行接口 非易失性存储器存储游标设置 加电刷新EEMEM设置 永久性存储器写保护 电阻容差储存于EEMEM中 26字节额外非易失性存储器,用于存储用户定义信息 1M编程周期 典型数据保留期:100年 下载AD5235-EP数据手册 (pdf) 温度范围:-40℃至+125°C 受控制造基线 一个装配/测试厂 一个制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/11605 DSCC图纸号产品详情AD5235是一款双通道非易失性存储器1、数控电位计2,拥有1024阶跃分辨率,保证最大低电阻容差误差为±8%。该器件可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和出色的低温度系数性能。通过SPI?-兼容串行接口,AD5235具有灵活的编程能力,支持多达16种工作模式和调节模式,其中包括暂存编程、存储器存储和恢复、递增/递减、±6 dB/阶跃对数抽头调整和游标设置回读,同时提供额外的EEMEM1 ,用于存储用户定义信息,如其他元件的存储器数据、查找表、系统标识信息等。...
发表于 04-18 19:28 ? 148次 阅读
AD5235 非易失性存储器、双通道1024位数字电位计

AD5231 非易失性存储器、1024位数字电位计

信息优势和特点 1024位分辨率 非易失性存储器保存游标设置 上电时利用EEMEM设置刷新 EEMEM恢复时间:140 μs(典型值) 完全单调性工作 端接电阻:10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存储器写保护 游标设置回读功能 预定义线性递增/递减指令 预定义±6 dB/步对数阶梯式递增/递减指令 SPI?兼容型串行接口 3 V至5 V单电源或±2.5 V双电源供电产品详情AD5231是一款采用非易失性存储器*的数字控制电位计**,提供1024阶分辨率。它可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和遥控能力。该器件功能丰富,可通过一个标准三线式串行接口进行编程,具有16种工作与调整模式,包括便笺式编程、存储器存储与恢复、递增/递减、±6 dB/步对数阶梯式调整、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。在便笺式编程模式下,可以将特定设置直接写入RDAC寄存器,以设置端子W–A与端子W–B之间的电阻。此设置可以存储在EEMEM中,并在系统上电时自动传输至RDAC寄存器。EEMEM内容可以动态恢复,或者通过外部PR选通脉冲予以恢复;WP功能则可保护EE...
发表于 04-18 19:28 ? 136次 阅读
AD5231 非易失性存储器、1024位数字电位计

CAT25128 EEPROM串行128-Kb SPI

28是一个EEPROM串行128-Kb SPI器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。 适用于新产品(Rev. E)。 特性 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0& 1,1) 工业温度范围 自定时写周期 64字节页面写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或所有EEPROM阵列 1,000,000计划/时代se周期 100年数据保留 8引脚SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此设备无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 其他识别具有永久写保护的页面 应用 汽车系统 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:13 ? 120次 阅读
CAT25128 EEPROM串行128-Kb SPI

CAT25256 EEPROM串行256-Kb SPI

56是一个EEPROM串行256-Kb SPI器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。 适用于新产品(Rev. E)。 特性 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)& (1,1) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留期 1,000,000个程序/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业温度范围 8引脚SOIC ,TSSOP和8焊盘UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,以及符合RoHS标准 应用 汽车系统 Communica tions Systems 计算机系统 消费者系统 工业系统 ...
发表于 04-18 19:13 ? 882次 阅读
CAT25256 EEPROM串行256-Kb SPI

CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:13 ? 84次 阅读
CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25160 EEPROM串行16-Kb SPI

60是一个EEPROM串行16-Kb SPI器件,内部组织为2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 特性 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0& 1,1) 32字节页面写入缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业温度范围 符合RoHS标准的8引脚SOIC,T SSOP和8-pad UDFN软件包 应用 汽车系统 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:13 ? 110次 阅读
CAT25160 EEPROM串行16-Kb SPI
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