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氮化镓GaN详细对比分析 纳微和英诺赛科氮化镓GaN产品应用

mg娱乐娱城网址 ? 2020-05-12 01:31 ? 次阅读

作者:马坤 (邮箱:kuner0806@163.com)

随着中国芯GaN产品上市,引起了大家的关注,PD产品更是多姿多彩;纳微GaN产品和英诺赛科GaN产品有什么区别?本文我们就做一些比对;帮助大家清晰的了解GaN产品。?

1.从氮化镓GaN产品的名称上对比

如下图所示,产品GaN标示图。纳微:GaNFast? Power ICs 是GaN 功率IC,而英诺赛科: E-Mode GaN FET 是GaN 功率管;

2.从氮化镓GaN产品结构上对比

如下图所示,纳微GaN产品结构,包含HV GaNFET,和Integrated Circuit;电容电阻和LV GaNFET组成内部电路;而英诺赛科 GaN产品 对应与纳微GaN器件中的 HV GaNFET部分;

? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?纳微GaN 组成部分 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 英诺赛科GaN产品

3.其氮化镓GaN产品特点

纳微GaN产品为单片集成GaN 功率IC;GaNFET IC集成了:?GaN FET (650V; Rds:110-560 mΩ)?+ GaN 驱动器+GaN 逻辑电路,如下图;

纳微GaN产品和英诺赛科GaN产品都属于E-Mode方式;

?纳微GaN产品型号:NV6113、NV6115、NV6117NV6125、NV6127、NV6252

?英诺赛科GaN产品型号:INN650D01INN650D02

4. 氮化镓GaN产品参数对比

如下表所示,英诺赛科GaN产品型号INN650D02 对标 纳微GaN产品型号NV6125;其内阻和Qoss,Coss电容值都比较接近;封装上略大一些;

5.氮化镓GaN产品应用电路

5.1 从上内容可以看,由于英诺赛科GaN产品是: E-Mode GaN FET,查看其规格书参数;

英诺赛科的GaN产品的Vgs开通阈值电压为1.7V,建议的驱动电压为5.5V-6.5V,通常选取的电压为6V。

通常使用控制IC,需要将控制输出电压转换为6V,英诺赛科GaN产品需要外部驱动转换电路;

有两种方式转换:

(5.1.1)?使用电阻电容分压电路

以QR电路结构,控制芯片NCP1342应用电路;NCP1342 DRV高电平输出(12V) R3、R4、C1构成的分压电路,Cgs电容较小,很快被充电至Vgsth值,C1电容值推荐680pF至1nF之间。

(5.1.2)?使用驱动IC?

以QR电路结构,控制芯片NCP1342应用电路;驱动IC FAN3111E;需要VCC1通过稳压电路到VCC2 给FAN3111E供电;当VCC2值设置为6V时,输出电压也为6V,输出信号IN+电压值不能超过VCC2值,需要R5/R7进行分压。C4的工作是减小由于输入端寄生电容导致的驱动信号失真。

5.2 纳微GaN应用电路图,由于内置驱动电路,所以外围简洁

实际应用电路图PCB 部分截图所示;

以QR电路结构,控制芯片NCP1342应用电路;纳微产品内部集成了驱动电路,将NCP1342输出PWM信号转换成内部驱动GaN?FET的驱动信号。外围器件数量少,设计简单;

6.氮化镓GaN产品应用电路BOM列表对比

从下表中可以看到各产品外围应用电路元器件个数;

7.氮化镓GaN产品应用电路的优劣势



?9.氮化镓GaN产品 驱动电路外置和内置的区别

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